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A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4306A
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = 25°C
Gate-Source Leakage
On-State Drain Current
BV DSS
I DSS
I GSS
I D(on)
60
-
-
12
-
-
-
-
-
1
20
±100
-
V
μA
nA
A
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = 60V, V GS = 0V
V DS = 48V, V GS = 0V, T A = 125°C
V GS = ±20V, V DS = 0V
V GS = 10V, V DS = 10V
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V GS(th)
R DS (on)
g fs
1.3
-
700
-
0.22
0.32
-
3
0.33
0.45
-
V
Ω
mS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 3A
V GS = 5V, I D = 1.5A
V DS = 10V, I D = 3A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 4)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time (Note 5)
Turn-On Rise Time (Note 5)
Turn-Off Delay Time (Note 5)
Turn-Off Fall Time (Note 5)
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
350
140
30
8
25
30
16
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DD = 25V, I D = 3A, V GEM = 10V
Notes:
4. Measured under pulsed conditions. Width = 300μs. Duty cycle ≤ 2%
5. Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
ZVN4306A
Document number: DS33367 Rev. 4 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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